CEB75N06 Mosfet C-N 60v 87A RDS 12 mOhms Diodo Paralelo

¡Descubre el potente MOSFET CEB75N06, un componente esencial para tus necesidades de conmutación de alta potencia!

1. **Potencia y Capacidad de Corriente**: Con una capacidad de hasta 60V y una corriente de hasta 87A, el MOSFET CEB75N06 es capaz de manejar cargas de alta potencia con facilidad, ofreciendo un rendimiento robusto en una amplia variedad de aplicaciones.

2. **Baja Resistencia al Paso (RDS)**: Con una resistencia al paso (RDS) de tan solo 12 mΩ, este MOSFET minimiza las pérdidas de energía y el calentamiento, garantizando una alta eficiencia y una operación más fresca incluso en condiciones de alta carga.

3. **Diodo Paralelo Integrado**: Equipado con un diodo paralelo integrado, el CEB75N06 proporciona una protección adicional contra corrientes inversas, asegurando una operación segura y confiable en todo momento, incluso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

4. **Diseño Robusto y Duradero**: Fabricado con materiales de alta calidad y tecnología avanzada, este MOSFET ofrece una construcción robusta que garantiza un rendimiento confiable y una larga vida útil, incluso en entornos exigentes.

5. **Versatilidad de Aplicación**: Desde fuentes de alimentación conmutadas hasta sistemas de control de motor y amplificadores de audio de alta potencia, el CEB75N06 es adecuado para una amplia variedad de aplicaciones donde se requiere un rendimiento excepcional y una capacidad de manejo de potencia superior.

En resumen, el MOSFET CEB75N06 es la elección perfecta si buscas un componente de alta potencia y eficiencia para tus proyectos electrónicos. Con su potencia impresionante, baja resistencia al paso, diodo paralelo integrado, diseño robusto y versatilidad de aplicación, este MOSFET ofrece una solución confiable y eficiente para tus necesidades de conmutación de alta potencia. ¡Aprovecha hoy mismo este MOSFET y lleva tus proyectos al siguiente nivel de rendimiento y fiabilidad!