IXTQ69N30P Mosfet C-N 300V 69A RDS 49mOhms Diodo Paralelo

Potencia tus proyectos electrónicos con el Mosfet IXTQ69N30P, diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en aplicaciones de alta potencia y eficiencia energética.

**Características del IXTQ69N30P:**

- **Alta capacidad de voltaje y corriente:** Con una tensión nominal de 300V y capacidad para manejar hasta 69A de corriente, es ideal para aplicaciones que requieren manejo de alta potencia.

- **Baja resistencia:** Con un valor de RDS(on) de 49 miliOhmios, minimiza las pérdidas de energía y el calentamiento durante la operación, garantizando un rendimiento eficiente.

- **Diodo paralelo integrado:** Mejora la confiabilidad y la protección del dispositivo al incluir un diodo de recuperación rápida en paralelo, lo que ayuda a gestionar eficazmente las corrientes inversas inducidas.

- **Diseño robusto:** Construido con materiales de alta calidad y tecnología avanzada, asegura una operación estable y duradera incluso en condiciones adversas.

- **Aplicaciones versátiles:** Adecuado para inversores de potencia, fuentes de alimentación conmutadas, sistemas de motorización, y otros dispositivos que requieren conmutación de alta velocidad y capacidad de manejo de potencia.

- **Facilidad de integración:** Su diseño compacto y su interfaz estándar facilitan la integración en una amplia variedad de aplicaciones electrónicas y sistemas.

El Mosfet IXTQ69N30P es la elección ideal para ingenieros y diseñadores que buscan optimizar el rendimiento y la eficiencia de sus diseños electrónicos. Potencia tus proyectos con confianza utilizando este componente de alta calidad y alto rendimiento.